[发明专利]一种High K栅极电介质/金属层叠栅极制作方法无效
| 申请号： | 201110418096.X | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103165441A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 何有丰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种High K栅极电介质/金属层叠栅极制作方法，该方法在沉积多晶硅层之前，对金属层或者刻蚀停止层表面进行还原处理，去除其表面的金属氧化物中间层，减小金属栅极电阻，增大CMOS器件饱和电流，减小CMOS器件关闭电流，改善High K材料的栅极电介质层和金属栅极的电极接触。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 high 栅极 电介质 金属 层叠 制作方法 | ||
【主权项】：
一种High K栅极电介质/金属层叠栅极制作方法，提供一硅衬底，所述硅衬底中具有浅沟槽隔离、P阱和N阱，所述P阱和N阱分别位于所述浅沟槽隔离两侧，所述硅衬底表面具有高介电系数材料的栅极电介质层，所述P阱上方的栅极电介质层表面沉积第一金属层，所述N阱上方的栅极电介质表面沉积第二金属层，其特征在于，该方法包括：对所述第一金属层和第二金属层表面进行还原处理，去除所述第一金属层和第二金属层表面的金属氧化物中间层；在还原处理后的第一金属层和第二金属层表面沉积多晶或非晶硅层；光刻后依次刻蚀所述多晶或非晶硅层、所述还原处理后的第一金属层和第二金属层、以及栅极电介质层，形成High K栅极电介质/金属层叠栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
