[发明专利]一种金属线圈及电流检测结构无效
| 申请号： | 201110418914.6 | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN103165580A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 骆川;周平 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;G01R19/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属线圈，制作于半导体材料上，所述半导体材料上具有一层或多层金属层，所述金属线圈的每一匝分别位于半导体材料上的一层金属层中，相邻的匝之间通过接触孔电极相连接。本发明还公开了包含所述金属线圈的电流检测结构，是在所述金属线圈正下方的半导体材料中具有一个p阱或n阱作为霍尔盘。流过金属线圈的电流会产生一个磁场，霍尔盘感应到该磁场并产生电信号，该电信号与金属线圈中的电流成线性关系。本发明金属线圈直接制造在半导体材料上，因而可与霍尔盘集成在同一个半导体芯片中，这样便能对电流大小进行较精确的测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 线圈 电流 检测 结构 | ||
【主权项】：
一种金属线圈，其特征是，制作于半导体材料上，所述半导体材料上具有一层或多层金属层，所述金属线圈的每一匝分别位于半导体材料上的一层金属层中，相邻的匝之间通过接触孔电极相连接。
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