[发明专利]一种MEMS加速度开关无效

专利信息
申请号: 201110419225.7 申请日: 2011-12-15
公开(公告)号: CN102522262A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 徐栋;郭群英;黄斌;方澍;陈璞;王文婧 申请(专利权)人: 华东光电集成器件研究所
主分类号: H01H35/14 分类号: H01H35/14
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 杨晋弘
地址: 233042 安徽*** 国省代码: 安徽;34
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供了一种MEMS加速度开关,由衬底(5)、硅框架(8)、弧形悬臂梁(1)、环形质量块(2)、碰撞柱(3)、环形接触电极(4)和硅盖帽(7)组成。硅框架固定在衬底上,中心设有圆孔;碰撞柱位于硅框架中心,固定在衬底上;硅框架圆孔上均布一组悬空的弧形悬臂梁,弧形悬臂梁的端部与环形质量块连接;环形质量块与碰撞柱同心并具有一定的间隙;环形接触电极位于环形质量块下方并固定在衬底上。本发明采用环形碰撞结构,可以实现平面任意方向及垂直水平面方向等多个方向上信号检测,同时采用环形结构设计,提高了开关的抗高冲击能力。本发明具有结构精巧、加工工艺简单、便于批量制作等特点。
搜索关键词: 一种 mems 加速度 开关
【主权项】:
一种MEMS加速度开关,其特征在于由衬底(5)、硅框架(8)、一组悬臂梁(1)、环形质量块(2)、碰撞柱(3)、环形接触电极(4)和盖帽(7)组成;硅框架(8)中心设有圆孔、并通过MEMS工艺固定在衬底(5)上;每个悬臂梁(1)的一端连接在硅框架圆孔的内侧并处于悬空状态;每个悬臂梁(1)的另一端连接于环形质量块(2)上,使环形质量块(2)悬空在衬底(5)上,并处于硅框架圆孔中;碰撞柱(3)固定在硅框架中心的衬底(5)上,碰撞柱(3)和环形质量块(2)同圆心、并具有3微米~20微米的环形间隙;环形接触电极(4)固定在环形质量块(2)下方的衬底上、和环形质量块在有一定间隙;在硅框架(8)上及碰撞柱(3)设有引出电极(6),盖帽(7)把一组悬臂梁和环形质量块封闭起来,盖帽上设有引出电极(6)的引出孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华东光电集成器件研究所,未经华东光电集成器件研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110419225.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top