[发明专利]一种超高强度纳米晶金属Ru薄膜的制备方法无效
| 申请号： | 201110419244.X | 申请日： | 2011-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN102418078A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 孟祥康;操振华;胡坤;汪蕾;佘茜玮;李平云 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 超高强度纳米晶金属Ru薄膜的制备方法，采用直流磁控溅射法，步骤为：衬底材料选用单晶Si片，先抽本底真空至1.5×10-5Pa，然后通入流量为20sccm的Ar气，通过分子泵阀门调节真空室真空度为5.0Pa，然后开始启辉，进行约30min的预溅射以保证薄膜的纯度，随后将真空度调至约1.1Pa开始生长Ru膜，直流磁控溅射功率保持为200W，对Ru靶进行约30min的预溅射；根据调节溅射时间来控制薄膜的厚度，薄膜厚度控制在1-2.5μm。最高硬度可达18.8GPa，约为粗晶Ru的8倍。该发明更好地保证了金属Ru膜在微电子器件中的应用，本发明具有良好的可控性与重复性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 强度 纳米 金属 ru 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
超高强度纳米晶金属Ru薄膜的制备方法，其特征是采用直流磁控溅射法，步骤为：衬底材料选用单晶Si片，先抽本底真空至1.5×10‑5Pa，然后通入流量为20sccm的Ar气，通过分子泵阀门调节真空室真空度为5.0Pa，然后开始启辉，进行约30min的预溅射以保证薄膜的纯度，随后将真空度调至约1.1Pa开始生长Ru膜，直流磁控溅射功率保持为200W，对Ru靶进行约30min的预溅射；根据调节溅射时间来控制薄膜的厚度，薄膜厚度控制在1‑2.5μm。
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