[发明专利]一种碳化硅陶瓷表面改性方法无效
| 申请号： | 201110419263.2 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102557730A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王伟;李红伟;郭亚杰 | 申请（专利权）人： | 长安大学 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85 |
| 代理公司： | 西安恒泰知识产权代理事务所 61216 | 代理人： | 李郑建;史玫 |
| 地址： | 710064*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅陶瓷表面改性方法。该方法利用复合高温熔融硫酸盐与碳化硅陶瓷反应而使陶瓷表面获得改性的方法，利用碳化硅陶瓷与硫酸盐之间的化学反应在碳化硅陶瓷表面上生长了莫来石纤维。在不降低碳化硅本体材料强度的基础上，使其表面的形貌和化学性质发生了明显的改变。利用该方法所制备的碳化硅/莫来石复合结构材料将会在陶瓷工业、化学工业、冶金工业等领域具有广泛的应用价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 陶瓷 表面 改性 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅陶瓷表面改性方法，其特征在于，具体过程按以下步骤进行：步骤一，将无水硫酸铝和助熔剂混合并研磨均匀，得到硫酸铝和助熔剂混合粉体，其中，无水硫酸铝的质量与待改性碳化硅陶瓷的质量满足：无水硫酸铝中的铝元素与待改性碳化硅陶瓷中的硅元素的摩尔比为3∶(1～2)，助熔剂的质量为无水硫酸铝的质量与待改性碳化硅陶瓷的质量之和的1～2倍；步骤二，将待改性碳化硅陶瓷埋于硫酸铝和助熔剂混合粉体中，于900℃～950℃下保温1～2小时后自然冷却；步骤三，将经步骤二处理过的待改性碳化硅陶瓷于沸水浴中煮沸至其表面残留的助熔剂完全溶解，然后经冷却、洗涤、干燥得到表面改性后的碳化硅陶瓷。
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