[发明专利]半导体器件制造方法无效
| 申请号： | 201110419334.9 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103165457A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 罗军;赵超;钟汇才;李俊峰;陈大鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构两侧形成源漏区和栅极侧墙；至少在源漏区上沉积镍基金属层；执行第一退火，使得源漏区中的硅与镍基金属层反应形成富镍相金属硅化物；执行离子注入，将掺杂离子注入富镍相金属硅化物中；执行第二退火，使富镍相金属硅化物转化为镍基金属硅化物，同时在镍基金属硅化物与源漏区的界面处形成掺杂离子的分离凝结区。依照本发明方法，通过向富镍相金属硅化物中注入掺杂离子后再退火，提高了掺杂离子的固溶度并形成了较高浓度的掺杂离子分离凝结区，从而有效降低了镍基金属硅化物与源漏区金属-半导体接触的肖特基势垒高度，降低了接触电阻，提高了器件驱动能力。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：在衬底上形成栅极堆叠结构；在栅极堆叠结构两侧形成源漏区和栅极侧墙；至少在源漏区上沉积镍基金属层；执行第一退火，使得源漏区中的硅与镍基金属层反应形成富镍相金属硅化物；执行离子注入，将掺杂离子注入富镍相金属硅化物中；执行第二退火，使得富镍相金属硅化物转化为镍基金属硅化物，并同时在镍基金属硅化物与源漏区的界面处形成掺杂离子的分离凝结区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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