[发明专利]成像装置、电子装置、光电池和制造成像装置的方法有效
| 申请号： | 201110419442.6 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102569333B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 久保井信行;本乡一泰 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/16 | 分类号： | H01L27/16;H01L35/02;H01L35/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 郭定辉 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在此提供成像装置、电子装置、光电池和制造成像装置的方法。所述成像装置包含：成像单元，其中接收光接收面上的入射光的多个像素布置在衬底的成像区域中，所述像素包括热电偶器件组，其中多个热电偶沿着光接收面对齐，在所述热电偶器件组中，多个热电偶布置为彼此分离，以使得光接收面具有格栅结构，并且所述热电偶器件组布置为使得入射光入射至格栅结构，从而使得在光接收面上发生等离子体共振，并且由于发生等离子体共振的热电偶器件组的一部分的温度的变化而在多个热电偶的每一个中产生电动势。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 装置 电子 光电池 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种成像装置，包含：成像单元，其中接收光接收面上的入射光的多个像素布置在衬底的成像区域中，其中，像素包括热电偶器件组，其中多个热电偶沿着光接收面对齐，其中，在热电偶器件组中，多个热电偶布置为彼此分离，以使得光接收面具有格栅结构，并且其中，热电偶器件组布置为使得入射光入射至格栅结构，从而使得在光接收面上发生等离子体共振，并且由于发生等离子体共振的热电偶器件组的一部分的温度的变化而在多个热电偶的每一个中产生电动势；其中光接收面凸起和凹下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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