[发明专利]GaAs CCD图形传感器圆片级芯片尺寸封装工艺有效
| 申请号： | 201110419761.7 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102509718A | 公开（公告）日： | 2012-06-20 |
| 发明（设计）人： | 王双福;罗乐;徐高卫;韩梅 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种GaAs CCD图像传感器圆片级芯片尺寸封装结构工艺，其特征在于①首先通过树脂粘接剂进行玻璃晶圆和砷化镓晶圆键合，保护芯片有源面并提高芯片晶圆强度；②然后通过湿法腐蚀或者物理方法制作梯形槽结构，使芯片互连区衬底厚度减薄；③接着通过干法刻蚀技术制作垂直互连通孔，使芯片有源面焊盘暴露出来；④再溅射种子层金属并电镀，制作孔金属化和RDL层，从而实现芯片有源面到芯片背面的电路互连；⑤然后制作钝化层、UBM层和凸点；⑥最后划片形成独立封装芯片。背面梯形槽结构只在有焊盘区域进行减薄，有效地降低了成本，而且垂直通孔互连能提高封装互连密度，缩短信号传输路径。 | ||
| 搜索关键词： | gaas ccd 图形 传感器 圆片级 芯片 尺寸 封装 工艺 | ||
【主权项】：
一种GaAs CCD图像传感器圆片级芯片尺寸封装结构工艺，其特征在于①首先通过树脂粘接剂进行玻璃晶圆和砷化镓晶圆键合，保护芯片有源面并提高芯片晶圆强度；②然后通过湿法腐蚀或者物理方法制作梯形槽结构，使芯片互连区衬底厚度减薄；③接着通过干法刻蚀技术制作垂直互连通孔，使芯片有源面焊盘暴露出来；④再溅射种子层金属并电镀，制作孔金属化和RDL层，从而实现芯片有源面到芯片背面的电路互连；⑤然后制作钝化层、UBM层和凸点；⑥最后划片形成独立封装芯片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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