[发明专利]一种工艺优化的金半接触结构的制备方法

摘要

本发明属于微电子技术领域，具体为一种工艺优化的金半接触结构的制备方法。本发明利用聚苯乙烯（PS）微球作为掩膜，采用高、低两种不同功函数金属淀积金半接触结构。由于PS微球结构稳定，单层膜易于制备，通过单层密布的PS微球作为模板，结合反应离子刻蚀（RIE）技术，对半导体衬底进行刻蚀形成期望的图形，最终通过丙酮超声振荡去除PS微球，是一种理想的自对准工艺，具有良好的应用前景。而高低两种功函数金属并联调制金半接触的方法可以有效提高正向工作电流、降低反向漏电流。本发明通过此自对准刻蚀技术与双功函数金属调制势垒高度技术的结合，达到了良好的金半接触优化效果。

主权项

一种工艺优化的金半接触结构的制备方法，其特征在于具体步骤为：（1）将PS微球通过超声振荡均匀分散于乙醇溶液中；（2）通过旋涂法在经清洁处理的半导体衬底表面形成紧密排列的PS微球单层膜；（3）利用氧等离子体反应离子刻蚀技术对半导体衬底表面进行大面积刻蚀，将PS微球的直径进行缩减，达到预期的直径后，停止刻蚀； （4）以PS微球整列作为掩模，利用CF4+Ar等离子体RIE技术对衬底材料进行刻蚀；（5）利用PVD技术大面积淀积高功函数金属；（6）在丙酮溶液中超声振荡，去除衬底表面的PS微球，烘干并退火，形成稳定的金属半导体接触；（7）、利用PVD技术大面积淀积低功函数金属，不再进行退火处理，以保证两种金属不发生严重互扩散。