[发明专利]一种大腐蚀纹单晶硅碱腐蚀片加工工艺无效
| 申请号： | 201110420557.7 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102418150A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 张俊生;李满;刘沛然;黄建国 | 申请（专利权）人： | 天津中环领先材料技术有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/10 | 分类号： | C30B33/10;C30B29/06;C23F1/40 |
| 代理公司： | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人： | 王凤英 |
| 地址： | 300384 天津市西青区*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及腐蚀硅片生产方法，特别涉及一种大腐蚀纹单晶硅碱腐蚀片加工工艺。包括如下步骤：（一）配制碱腐蚀溶液：按重量百分比取30%-60%的KOH或NaOH与去子水进行配制；（二）腐蚀温度：85℃至120℃；（三）腐蚀时间：15分钟至2小时；（四）腐蚀去除量：25微米至35微米。本发明的优点及效果：本发明是通过调整碱腐蚀工艺之后，成功制备出腐蚀纹在0.3mm以上的大腐蚀纹的单晶硅碱腐蚀片。为单晶硅腐蚀片替代单晶硅抛光片或外延片降低半导体制造成本做出了有益的尝试。从而克服腐蚀片可能陷入颗粒和引起光刻对焦困难的弊端，迎合了市场需求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 腐蚀 单晶硅 加工 工艺 | ||
【主权项】：
一种大腐蚀纹单晶硅碱腐蚀片加工工艺，其特征在于，包括如下步骤：（一）、配制碱腐蚀溶液：按重量百分比取30%‑60%的KOH或NaOH与去离子水进行配制；（二）、腐蚀温度：85℃至120℃；（三）、腐蚀时间：15分钟至2小时；（四）、单晶硅碱腐片去除量：25微米至35微米。
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