[发明专利]IGBT用区熔单晶硅双面抛光片的有蜡贴片工艺

摘要

本发明涉及一种IGBT用区熔单晶硅双面抛光片的有蜡贴片工艺，工艺包括：a、设定供蜡量：贴蜡部的滴蜡量控制在1～1.5ml/次范围，b、设定涂蜡转速：涂蜡后硅片高速旋转，将蜡在硅片表面涂抹均匀，c、涂蜡结束后硅片被送进烘箱进行烘烤，以挥发掉蜡中的IPA等有机成分，d、在已预热的陶瓷板上进行贴片，e、使用气囊对带有蜡膜的硅片进行加压，根据上述方法，区熔硅片经有蜡贴片抛光工艺获得的区熔硅双面抛光片达到：厚度公差：±5μm；TTV：≤3μm，TTV为总厚度偏差；TIR：≤1.5μm，TIR为平整度；STIR(15*15mm)：≤1.5μm，STIR为局部平整度；表面洁净度：>0.3μm颗粒数：≤5个，其技术对满足器件和大规模集成电路对衬底硅片越来越高的要求具有重大意义和实用价值。

主权项

IGBT用区熔单晶硅双面抛光片的有蜡贴片工艺，其特征在于：所述工艺包括如下次序的步骤： 设定供蜡量：贴蜡部的滴蜡量控制在1～1.5ml/次范围，贴第一面和贴第二面设定供蜡量相同；设定涂蜡转速：涂蜡后硅片高速旋转，将蜡在硅片表面涂抹均匀，涂蜡转速范围设定，对于第一面既腐蚀面涂蜡转速：3000‑4000rpm，对于第二面既抛光面涂蜡转速：2000‑3000rpm；烘烤温度：涂蜡结束后硅片被送进烘箱进行烘烤，以挥发掉蜡中的IPA等有机成分，温度下限为70℃，上限为280℃，贴第一面和贴第二面时所设定的烘烤温度相同；陶瓷板温度：将贴蜡后的超薄区熔硅片放到已预热的陶瓷板上进行贴片，陶瓷板温度控制范围为85～120℃，贴第一面和贴第二面时所设定的陶瓷板温度相同；贴片压力：使用气囊对带有蜡膜的硅片进行加压，气囊的压力在15‑25psi 之间进行调整，贴第一面和贴第二面时所设定的贴片压力相同；    根据上述方法，区熔硅片经有蜡贴片抛光工艺获得的区熔硅双面抛光片达到：    厚度公差：±5μm；    TTV：≤3μm，TTV为总厚度偏差；    TIR：≤1.5 μm，TIR为平整度；STIR：≤1.5 μm， STIR为局部平整度； 表面洁净度：>0.3μm颗粒数：≤5个。