[发明专利]一种FC-BGA封装凸点分布的热耗散新方法在审
| 申请号： | 201110421731.X | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN103165472A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 崔小乐;王超;何艺;王洪辉 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院;南通富士通微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/367 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种FC-BGA封装凸点分布的热耗散新方法，其特征在于包括：通过凸点的不同分布来有效的改善局部热点的热耗散问题；通过凸点下金属层UBM对芯片的衬底镀一层金属；通过相对应的凸点分布来合理且迅速地把热量传导出去，从而降低芯片的热量，使芯片尽快达到热量平衡，整个封装系统稳定场达到稳定状态。FC-BGA结构中主要通过凸点散热，本发明采用Solidworks软件进行实体建模，模型对结构稳定温度场以及瞬态温度场进行模拟，找到关键凸点即温度较高凸点的位置对凸点位置分类，进而调整凸点分布，在原来的温度较高的凸点位置适当提高凸点分布密度，最终使得热量合理且迅速地通过凸点传输到基板从而耗散出去。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fc bga 封装 分布 耗散 新方法 | ||
【主权项】：
一种FC‑BGA封装凸点分布的热耗散新方法，其特征在于包括：通过凸点的不同分布来有效的改善局部热点的热耗散问题；通过凸点下金属层UBM对芯片的衬底镀一层金属；通过相对应的凸点分布来合理且迅速地把热量传导出去，从而降低芯片的热量，使芯片尽快达到热量平衡，整个封装系统稳定场达到稳定状态。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
