[发明专利]一种ZnO/CdTe/CdS纳米电缆阵列电极及其制备方法无效
| 申请号： | 201110421786.0 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102412318A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 王浩;刘荣;王喜娜;王甜;汪宝元 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京君智知识产权代理事务所 11305 | 代理人： | 向华 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及用于太阳能电池的ZnO/CdTe/CdS纳米电缆阵列电极及其制备方法。该ZnO/CdTe/CdS纳米电缆阵列电极是由按照从里到外顺序的ITO导电玻璃衬底、ZnO缓冲薄膜层、ZnO纳米线阵列层、CdTe纳米电缆层与CdS纳米晶保护层组成的。通过CdS和CdTe共敏化技术，使本发明的ZnO/CdTe/CdS纳米电缆阵列电极的饱和光电流密度提高到12.4mA/cm2。本发明所涉及的制备工艺简单易行，成本低，产率高，具有非常好的市场应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 zno cdte cds 纳米 电缆 阵列 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种ZnO/CdTe/CdS纳米电缆阵列电极，其特征在于该电缆阵列电极是由按照从里到外顺序的ITO导电玻璃衬底、ZnO缓冲薄膜层、ZnO纳米线阵列层、CdTe纳米电缆层与CdS纳米晶保护层组成的；其中：ZnO缓冲薄膜层的厚度是20‑40nm；在ZnO纳米线阵列层中，ZnO纳米棒的直径是50‑100nm与长度0.5‑3μm；CdTe纳米电缆层的厚度是3‑30nm；CdS纳米晶保护层的厚度是2‑20nm饱和光电流密度达到12.4mA/cm2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
