[发明专利]一种制备高纯AlON粉体的方法有效

专利信息
申请号: 201110422073.6 申请日: 2011-12-16
公开(公告)号: CN102557087A 公开(公告)日: 2012-07-11
发明(设计)人: 高濂;靳喜海;孙静 申请(专利权)人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
主分类号: C01F7/00 分类号: C01F7/00;C04B35/58
代理公司: 上海海颂知识产权代理事务所(普通合伙) 31258 代理人: 何葆芳
地址: 200050 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种制备高纯AlON粉体的方法,是首先将纳米Al2O3粉体分散于溶剂中,然后加入热固性树脂的聚合单体,使聚合单体在Al2O3颗粒表面进行原位聚合反应,生成树脂聚合物包覆Al2O3颗粒的复合前驱体,再对所述复合前驱体在惰性气氛中于800~1100℃进行热解反应,最后在氮气氛下于1680~1750℃进行碳热还原反应。本发明可以显著提高热解碳与Al2O3颗粒的接触面积和混合均匀度,阻止碳热还原过程中Al2O3颗粒间的局部烧结和汇聚长大,从而降低了AlON粉体的制备温度及其颗粒尺寸和团聚度,所制备的AlON粉体纯度高,粉体颗粒尺寸不超过1μm。
搜索关键词: 一种 制备 高纯 alon 方法
【主权项】:
一种制备高纯AlON粉体的方法,其特征在于:是首先将纳米Al2O3粉体分散于溶剂中,然后加入热固性树脂的聚合单体,使聚合单体在Al2O3颗粒表面进行原位聚合反应,生成树脂聚合物包覆Al2O3颗粒的复合前驱体,再对所述复合前驱体在惰性气氛中于800~1100℃进行热解反应,最后在氮气氛下于1680~1750℃进行碳热还原反应。
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