[发明专利]一种防紫外线的薄膜太阳能电池的制备方法

摘要

本发明属于薄膜太阳能电池制备工艺的技术领域。一种纳米硅防紫外线的薄膜太阳能电池的制备方法，对于透明材料直接沉积非晶硅薄膜，后进行等离子体刻蚀技术制备纳米硅，而对于不透明材料先按照常规薄膜电池制备工艺制备各层，后沉积非晶硅薄膜，再进行等离子体刻蚀技术制备纳米硅，最后制备出防紫外线的薄膜太阳能电池，此方法工艺简单易控，成本较低，利用纳米硅光致发光效应，将辐照到电池表面的紫外线转换为可被电池吸收的光波，从而消除紫外线对电池的热损伤，提高电池的使用寿命，同时还可拓展电池对太阳光紫外波段的利用，提高电池转换效率。

主权项

一种纳米硅防紫外线的薄膜太阳能电池的制备方法，其特征是：衬底材料为透明的材料，首先在透明衬底材料上通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备一层非晶硅薄膜；然后关闭SiH4气源，原位进行H等离子体放电，利用H等离子体刻蚀非晶硅薄膜，制备一层纳米硅薄膜层；此后在纳米硅薄膜层上制备Si3N4减反射层；最后按照常规薄膜电池制备工艺依次制备前电极、p‑i‑n单结或多结电池和背电极，进行常规电池封装后即可得到防紫外线的纳米硅薄膜太阳能电池。