[发明专利]一种合成曝光法制作中阶梯光栅的方法有效
| 申请号： | 201110422296.2 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102495443A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 凌进中;张大伟;黄元申;王琦;李柏承;庄松林 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | G02B5/18 | 分类号： | G02B5/18;G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人： | 吴泽群 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种合成曝光法制作中阶梯光栅的方法，它包括以下根据所需制备的中阶梯光栅槽形特征参数要求，写成槽形周期函数形式，并写出其傅里叶级数，即无限项正弦函数之和，根据实际槽形的精度要求，确定近似项的项数，其中一项为常数项，与其它项合并为正弦函数项，再将中阶梯光栅槽形近似为正弦干涉条纹的叠加；根据干涉条纹的周期计算出光的入射光与反射光的角度、干涉条纹的曝光强度、反射镜的膜厚，最后将涂有光刻胶的光栅基底放在干涉条纹接收区域，依次曝光后，显影处理，再在具有中阶梯光栅槽形的光栅基底上镀金属反射膜，完成中阶梯光栅的制备。本发明提供中阶梯光栅的制作方法，能更加快捷、成本更低的实现中阶梯光栅制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合成 曝光 法制 阶梯 光栅 方法 | ||
【主权项】：
一种合成曝光法制作中阶梯光栅的方法，其特征在于，它包括以下几个步骤：(1)根据所需制备的中阶梯光栅槽形特征参数要求，写成槽形周期函数形式，并写出其傅里叶级数，即无限项正弦函数之和，根据实际槽形的精度要求，确定近似项的项数，其中一项为常数项，与其它项合并为正弦函数项，再将中阶梯光栅槽形近似为正弦干涉条纹的叠加；(2)根据步骤(1)中干涉条纹的周期计算出光的入射光与反射光的角度；(3)根据步骤(1)中干涉条纹的振幅以及光刻胶的感光特性计算干涉条纹的曝光强度，即曝光光强和曝光时间的乘积，对于不同特性的光刻胶使用不同的曝光强度；(4)根据步骤(1)干涉条纹的位相关系计算光路中所使用的反射镜的膜厚，精确控制干涉条纹的位相关系，以满足精确的槽形合成；(5)将涂有光刻胶的光栅基底放在干涉条纹接收区域，光路中的光依次曝光后，显影处理，再在具有中阶梯光栅槽形的光栅基底上镀金属反射膜，完成中阶梯光栅的制备。
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