[发明专利]一种多段控温晶体生长炉无效
| 申请号： | 201110423024.4 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102517624A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 周东祥;龚树萍;郑志平;傅邱云;胡云香;赵俊;刘欢;王晶 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B13/28;C30B35/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多段控温晶体生长炉，包括炉体，所述炉体上端设有安瓿悬挂装置，所述炉体外部设有炉体隔热层，所述炉体分为上保温区和下保温区，其特征在于，所述炉体上、下保温区之间还设有生长区，所诉生长区包括在所述炉体轴向安置的多个加热单元，相邻加热单元之间设有隔热层。本发明可根据需要调节多段加热单元的温度，获得所需的温度梯度区间及合适的温度梯度，从而实现大尺寸、高质量单晶的生长。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多段控温 晶体生长 | ||
【主权项】：
一种多段控温晶体生长炉，包括炉体，所述炉体上端设有安瓿悬挂装置，所述炉体外部设有炉体隔热层，所述炉体分为上保温区和下保温区，其特征在于，所述炉体上、下保温区之间还设有生长区，所诉生长区包括在所述炉体中部轴向安置的多个加热单元，相邻加热单元之间设有隔热层。
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