[发明专利]一种LPCVD工艺腔中的气体吹扫系统及方法无效

专利信息
申请号: 201110423198.0 申请日: 2011-12-16
公开(公告)号: CN102517564A 公开(公告)日: 2012-06-27
发明(设计)人: 辛科 申请(专利权)人: 汉能科技有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/40
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 102209 北京市*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种LPCVD工艺腔中的气体吹扫系统,具体地讲是涉及一种防止LPCVD工艺腔室之间交叉污染以及能够吹扫ZnO颗粒的气体吹扫系统,还涉及一种运用上述系统的LPCVD工艺中的气体吹扫方法。该系统包括加热腔、冷却腔和多个用于沉积BZO玻璃的工艺腔,各个腔室之间螺纹连接,还包括设置在工艺腔内,紧邻两工艺腔对接腔壁处的气体吹扫装置。该系统结构简单,成本低廉,通过气体吹扫切断工艺腔室之间的气场干扰,保证温度场和气场均匀性,最终保证BZO薄膜的均匀性,同时能够将玻璃在传输和工艺过程中洒落到BZO薄膜表面的ZnO的粉尘吹走,保证ZnO薄膜在下一个工艺腔室镀膜之前有一个洁净的表面,保证ZnO薄膜的质量。
搜索关键词: 一种 lpcvd 工艺 中的 气体 系统 方法
【主权项】:
一种LPCVD工艺腔中的气体吹扫系统,包括加热腔、冷却腔和多个用于沉积BZO玻璃的工艺腔,各个腔室之间螺纹连接,其特征在于还包括设置在工艺腔内,紧邻两工艺腔对接腔壁处的气体吹扫装置。
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