[发明专利]非易失性存储设备有效

专利信息
申请号: 201110423365.1 申请日: 2007-09-04
公开(公告)号: CN102496387A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 李光振;郭忠根;金杜应 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 侯广
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 在非易失性存储设备中,通过在编程操作的第一编程间隔期间,在从多个非易失性存储单元中所选择的多个选择存储单元之中的第一组中编程具有第一逻辑状态的数据,随后在第一编程间隔之后的编程操作的第二编程间隔期间,在所选择的存储单元之中的第二组中编程具有不同于第一逻辑状态的第二逻辑状态的数据,在多个非易失性存储单元上执行编程操作。
搜索关键词: 非易失性 存储 设备
【主权项】:
一种非易失性存储设备,所述设备包括:多个非易失性存储单元,其被分成多个单元组;比较单元,用于将从多个非易失性存储单元中读取的多个验证数据与多个非易失性存储单元中将要被编程的多个编程数据相比较,并且输出用于表明其验证数据和编程数据彼此不同的多个失败非易失性存储单元的比较信号;状态标志信号生成单元,用于生成表明其中将要编程特定逻辑状态的编程数据的多个非易失性存储单元的状态标志信号;编程验证指定单元,用于接收比较信号和状态标志信号,并且生成指定信号以指定用于失败非易失性存储单元中的编程数据的多个分区编程操作;编程脉冲生成单元,用于接收指定信号,并且在分区编程操作期间提供置位脉冲控制信号和复位脉冲控制信号;和编程驱动器,用于接收编程数据、置位脉冲控制信号、和复位脉冲控制信号,并且生成置位脉冲或复位脉冲。
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