[发明专利]凸块制造工艺及其结构有效
申请号: | 201110423997.8 | 申请日: | 2011-12-13 |
公开(公告)号: | CN103165481A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 郭志明;邱奕钏;何荣华 | 申请(专利权)人: | 颀邦科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 11019 | 代理人: | 寿宁;张华辉 |
地址: | 中国台湾新竹科学*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 本发明有关一种凸块制造工艺及其结构。其中的凸块制造工艺其包含提供一硅基板,该硅基板具有多个焊垫;形成一含钛金属层于该硅基板,该含钛金属层具有多个第一区及第二区;形成一光阻层于该含钛金属层;图案化该光阻层以形成多个开槽;形成多个凸块底部包覆层于该含钛金属层上;形成多个铜凸块于上述开槽内;进行一加热步骤;形成多个凸块外部包覆层,以使各该凸块外部包覆层连接各该凸块底部包覆层,并完全包覆各该铜凸块以形成一凸块包裹层;形成多个接合层于各该凸块外部包覆层;移除该光阻层;以及移除该含钛金属层的上述第二区,并使该含钛金属层的各该第一区形成为一凸块下金属层。本发明提供的技术方案能够避免短路情形的出现。 | ||
搜索关键词: | 制造 工艺 及其 结构 | ||
【主权项】:
一种凸块制造工艺,其特征在于至少包含:提供一硅基板,该硅基板具有一表面、多个设置于该表面的焊垫及一设置于该表面的保护层,该保护层具有多个开口,且上述开口显露上述焊垫;形成一含钛金属层于该硅基板,该含钛金属层覆盖上述焊垫,且该含钛金属层具有多个第一区及多个位于上述第一区外侧的第二区;形成一光阻层于该含钛金属层;图案化该光阻层以形成多个开槽,上述开槽对应该含钛金属层的上述第一区且各该开槽具有一内侧壁;形成多个凸块底部包覆层于上述开槽,且各该凸块底部包覆层覆盖该含钛金属层的各该第一区,各该凸块底部包覆层具有一外侧壁;形成多个铜凸块于各该凸块底部包覆层上,各该铜凸块具有一第一顶面、一环壁及一底面,该底面位于该凸块底部包覆层上;进行一加热步骤,以使该光阻层的各该开槽形成扩孔,而使各该开槽的该内侧壁及各该凸块底部包覆层的该外侧壁之间形成有一第一间距,及使各该开槽的该内侧壁及各该铜凸块的该环壁之间形成有一第二间距;形成多个凸块外部包覆层于上述第一间距、上述第二间距、各该铜凸块的该第一顶面及该环壁,以使各该凸块外部包覆层连接各该凸块底部包覆层,而使各该凸块外部包覆层及各该凸块底部包覆层形成一包覆各该铜凸块的凸块包裹层,各该凸块包裹层完全包覆各该铜凸块,且各该凸块外部包覆层具有一第二顶面;形成多个接合层于上述凸块外部包覆层的上述第二顶面;移除该光阻层;以及移除该含钛金属层的上述第二区,并使该含钛金属层的各该第一区形成为一位于各该凸块包裹层下的凸块下金属层。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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