[发明专利]凸块工艺

摘要

本发明是有关于一种凸块工艺，其包含提供一硅基板；形成一含钛金属层在该硅基板，且该含钛金属层是具有多个第一区及多个第二区；形成一光阻层在该含钛金属层；图案化该光阻层以形成多个开槽，所述开槽是对应该含钛金属层的所述第一区；形成多个铜凸块在所述开槽；进行一加热步骤；形成多个凸块隔离层在所述铜凸块；形成多个接合层在所述凸块隔离层；移除该光阻层；以及移除该含钛金属层的所述第二区，并使各该第一区形成为一凸块下金属层。

主权项

一种凸块工艺，其特征在于至少包含：提供一硅基板，该硅基板是具有一表面、多个设置在该表面的焊垫及一设置在该表面的保护层，该保护层是具有多个开口，且所述开口是显露所述焊垫；形成一含钛金属层在该硅基板，该含钛金属层是覆盖该保护层及所述焊垫，且该含钛金属层是具有多个第一区及多个位于所述第一区外侧的第二区；形成一光阻层在该含钛金属层；图案化该光阻层以形成多个开槽，所述开槽是对应该含钛金属层的所述第一区且各该开槽是具有一内侧壁；形成多个铜凸块在所述开槽，各该铜凸块是具有一第一顶面及一第一环壁；进行一加热步骤，以使该光阻层的各该开槽形成扩孔，而使各该开槽的该内侧壁及各该铜凸块的该第一环壁之间形成有一间距；形成多个凸块隔离层在所述间距、各该铜凸块的该第一顶面及该第一环壁，且各该凸块隔离层具有一第二顶面；形成多个接合层在所述凸块隔离层的所述第二顶面；移除该光阻层；以及移除该含钛金属层的所述第二区，并使该含钛金属层的各该第一区形成为一位于各该凸块隔离层下的凸块下金属层。