[发明专利]下电极组件及具有其的化学气相沉积设备无效
| 申请号： | 201110424005.3 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103160812A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 袁强 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | C23C16/50 | 分类号： | C23C16/50 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 宋合成 |
| 地址： | 100176 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种下电极组件和具有它的半导体处理设备。所述下电极组件包括：载板，所述载板用于传输和承载晶片；托盘；托盘支架，所述托盘支架与所述托盘相连以支撑所述托盘；加热器，所述加热器设在所述托盘内；和升降机构，所述升降机构与所述托盘支架相连用于升降所述托盘，以便所述加热器能够更好地加热所述晶片。根据本发明的下电极组件，改善了加热效率，和热利用率，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 组件 具有 化学 沉积 设备 | ||
【主权项】：
一种下电极组件，其特征在于，包括：载板，所述载板用于传输和承载晶片；托盘；托盘支架，所述托盘支架与所述托盘相连以支撑所述托盘；加热器，所述加热器设在所述托盘内；和升降机构，所述升降机构与所述托盘支架相连用于升降所述托盘，以便所述加热器能够加热所述晶片。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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