[发明专利]等离子体沉浸离子注入工艺有效
| 申请号： | 201110424053.2 | 申请日： | 2007-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102522324A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李实健;卡提克·雷马斯瓦米;比亚吉欧·加洛;李东亨;马耶德·A·福阿德 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;钟强 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明揭示一种对基板进行共形掺杂的方法，所述基板具有沟道，所述沟道具有侧壁和底部部分，所述方法包括：将所述基板放置在等离子体腔室内；向所述腔室提供掺杂剂源和蚀刻剂；在所述腔室中形成电感耦合等离子体；给所述基板施加偏压；以及在掺杂剂注入所述侧壁和所述底部部分时，通过调整掺杂剂源和蚀刻剂进入所述腔室的流速的比率，来对掺杂剂注入所述侧壁和所述底部进行控制。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 沉浸 离子 注入 工艺 | ||
【主权项】：
一种对基板进行共形掺杂的方法，所述基板具有沟道，所述沟道具有侧壁和底部部分，所述方法包括：将所述基板放置在等离子体腔室内；向所述腔室提供掺杂剂源和蚀刻剂；在所述腔室中形成电感耦合等离子体；给所述基板施加偏压；以及在掺杂剂注入所述侧壁和所述底部部分时，通过调整掺杂剂源和蚀刻剂进入所述腔室的流速的比率，来对掺杂剂注入所述侧壁和所述底部进行控制。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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