[发明专利]半导体激光元件

摘要

本发明提供一种适于高输出化的半导体激光元件。半导体激光二极管(70)包括：基板(1)；及半导体叠层结构体(2)，其通过结晶成长而形成在基板(1)上。半导体叠层结构体(2)包括：n型(Alx1Ga(1-x1))0.51In0.49P包覆层14及p型(AIx1Ga(1-x1))0.51In0.49P包覆层(17)；n侧Alx2Ga(1-x2)As导引层(15)及(p)侧Alx2Ga(1-x2)As导引层(16)，其等夹在这些包覆层(14)、(17)之间；以及活性层(10)，其夹在这些导引层(15)、(16)之间。活性层(10)由包含AlyGa(1-y)As(1-x3)Px3层的量子井层(221)与包含Alx4Ga(1-x4)As层的阻障层(222)交替重复叠层复数个周期而构成。

主权项

一种半导体激光元件，其包括：p型包覆层及n型包覆层；p侧导引层及n侧导引层，其等夹在上述p型包覆层及n型包覆层之间；以及活性层，其夹在上述p侧导引层及n侧导引层之间，且包含至少一个量子井层；且上述p型包覆层及n型包覆层分别包含(Alx1Ga(1‑x1))0.51In0.49P层(0≤x1≤1)，上述p侧导引层及n侧导引层分别包含Alx2Ga(1‑x2)As层(0≤x2≤1)，上述量子井层包含AlyGa(1‑y)As(1‑x3)Px3层(0≤x3≤1，0≤y≤0.3)，上述AlyGa(1‑y)As(1‑x3)Px3层具有P组成x3相对于As组成(1‑x3)的比x3/(1‑x3)满足1/4以下的组成。