[发明专利]高纵横比沟槽中的颠倒填充有效
申请号: | 201110424193.X | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN102569165A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 拉克什米纳拉亚那·尼塔拉;凯雷纳·香农;内里萨·德拉热;梅加·拉托德;哈拉尔德·特尼耶胡伊斯;巴特·范施拉维迪克;迈克尔·达内克 | 申请(专利权)人: | 诺发系统有限公司 |
主分类号: | H01L21/762 | 分类号: | H01L21/762;C23C16/455;C23C16/52 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 沈锦华 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供用可流动电介质材料来填充间隙的新颖方法。根据各种实施例,所述方法涉及对所述间隙执行表面处理,以增强所述间隙的后续颠倒填充。在某些实施例中,所述处理涉及使所述表面暴露于经活化物质,例如氮、氧和氢中的一者或一者以上的经活化物质。在某些实施例中,所述处理涉及使所述表面暴露于从氮和氧的混合物产生的等离子体。所述处理可实现所述可流动电介质膜的均匀成核,减少成核延迟,增加沉积速率且增强特征到特征填充高度均匀性。 | ||
搜索关键词: | 纵横 沟槽 中的 颠倒 填充 | ||
【主权项】:
一种方法,其包括:将包含待填充间隙的衬底提供到处理室,所述间隙包含底部表面和一个或一个以上侧壁表面;使所述间隙的表面暴露于氮或氧物质;以及在使所述间隙的所述表面暴露于氮或氧物质之后,将可流动电介质膜沉积在所述间隙中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于诺发系统有限公司,未经诺发系统有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110424193.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有掩埋栅的半导体器件及其制造方法
- 下一篇:用于电路断路器的卸放机构
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造