[发明专利]一种具有应变结构的VDMOS器件及其制备方法

摘要

本发明提出了一种具有应变结构的VDMOS器件及其制备方法，该VDMOS器件包括漏区、漂移区、重掺杂区、轻掺杂区、源区、JFET区、栅介质、栅极、绝缘应变层、隔离介质和金属通孔，本发明的VDMOS器件通过在器件表面覆盖一层绝缘应变层，由于该绝缘应变层与半导体材料的晶格不匹配，将在半导体表面引入应力，进而改变半导体表面的晶格常数，使得载流子迁移率增加，导通电阻降低。本发明的制备方法通过覆盖绝缘应变层的方法向半导体中引入应变，避免了采用外延技术所必须的高温过程，同时采用本发明的制备方法制作的VDMOS晶体管也可在后续工艺中采用高温过程。

主权项

一种具有应变结构的VDMOS器件，特征在于，包括：半导体材料，在所述半导体材料上形成有漏区、漂移区、重掺杂区、轻掺杂区、源区和JFET区；栅介质及其上形成的栅极，所述栅介质和栅极形成在所述半导体材料之上；绝缘应变层，所述绝缘应变层形成在所述栅介质和栅极之上，所述绝缘应变层的晶格与其下方的半导体材料不匹配，以在其下方的半导体材料中引入应力；隔离介质，所述隔离介质形成在所述绝缘应变层之上；金属通孔，所述金属通孔贯通至所述半导体材料表面，在所述金属通孔内形成有源区电极，所述源区电极与所述源区接触。