[发明专利]两种在双面研抛机上实现的单面抛光方法有效
| 申请号： | 201110425142.9 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103158054A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张卫兴 | 申请（专利权）人： | 张卫兴 |
| 主分类号： | B24B29/02 | 分类号： | B24B29/02 |
| 代理公司： | 南京众联专利代理有限公司 32206 | 代理人： | 顾进 |
| 地址： | 210003 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了两种在双面研抛机上实现的单面抛光方法，包括双面研抛机的压重式单面抛光方法和双面研抛机的粘贴式单面抛光方法。其中双面研抛机的压重式单面抛光方法主要包括：在所述游星盘上设置压块，上磨盘始终保持与下磨盘不接触的状态，进行抛光。双面研抛机的粘贴式单面抛光方法主要包括:将晶体材料无需抛光的表面用粘合剂对粘在一起，上下磨盘同时进行抛光。通过在双面研抛机上采用上述两种方法，实现在双面研抛机上对晶体材料进行单面抛光，无需另外购置专用的单面研抛机，充分节约成本，并且进一步提高加工效率，有利于产业化。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 研抛机上 实现 单面 抛光 方法 | ||
【主权项】：
一种双面研抛机的压重式单面抛光方法，其特征在于，具体加工步骤如下：（1）在双面研抛机的下磨盘上安装相互啮合的内齿圈、外齿太阳轮和一块以上开有一个以上通孔的带有外齿的游星盘，将晶体材料放在通孔中；（2）在所述游星盘上设置压块，所述压块向游星盘上的晶体材料施加压力；（3）上磨盘始终保持与下磨盘不接触的状态，进行抛光；抛光条件：下磨盘转速：16~60rpm，外齿太阳轮与下磨盘转速比为1:3~1:10。
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