[发明专利]一种二价铋离子掺杂硼酸锶荧光材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110425817.X | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102533262A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 彭明营 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/63 | 分类号： | C09K11/63 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种二价铋离子掺杂硼酸锶荧光材料及其制备方法，包括：按分子式Sr1-xB4O7:xBi或Sr1-xB6O10:xBi分别称取含锶、硼及铋的化合物原料，其中0.001≤x≤0.05；研磨混匀后预烧，控制温度300～500oC；预烧后再次研磨混匀后，高温烧制两次，控制温度600～900oC；再将样品放于600～900oC还原性气氛下反应15分钟～10小时。本发明方法制备的荧光粉，其发光强度分别是空气气氛下合成的同等浓度铋掺杂样品的2倍或140倍以上，并且有望提高白光LED的显色性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二价 离子 掺杂 硼酸 荧光 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种二价铋离子掺杂硼酸锶荧光材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1) 按分子式Sr1‑xB4O7: xBi 或Sr1‑xB6O10: xBi分别称取含锶、硼及铋的化合物原料，其中0.001≤ x ≤ 0.05；(2) 将上述称好的原料，经研磨混匀后，进行预烧，并控制温度为300～500oC；(3) 将预烧后的样品取出，再次研磨混匀后，进行两次高温烧制，控制温度600～900oC；(4) 将烧制后的样品放于600～900oC的还原性气氛下反应15分钟～10小时，即可制得所需荧光材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学，未经华南理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110425817.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
