[发明专利]在硅基底表面制备含氟碳基薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种在硅基底表面制备含氟碳基薄膜的方法。本发明以四氟化碳作为前驱气体，利用增强型化学气相沉积方法在抛光硅片表面沉积薄膜。该方法成本低、周期短，操作简便，且制备出的薄膜致密、稳定、均匀、与基底结合力好，具有优异抗磨耐损性。

主权项

一种在硅基底表面制备含氟碳基薄膜的方法，其特征在于该方法按照下列顺序步骤进行：A沉积基片为抛光硅片，依次用无水乙醇、丙酮和超声波清洗机清洗；B采用增强型等离子体气相沉积设备，薄膜沉积前，在4.5～5Pa下，基底下偏压800～1000V、频率20～30KHz、占空比60～80％下，以300sccm氩气对基片进行等离子体清洗30min；C为增强含氟非晶碳膜和基片之间的结合力，在15～20Pa下，基底偏压1000～1200V、频率20～30KHz、占空比60～80％下，以10.3sccm甲烷、20sccm氢气沉积不含氟碳膜10～15min；D在15Pa下，基地偏压1000～1200V、频率20～30KHz占空比60～80％下，沉积含氟碳膜，条件1sccm四氟化碳、10.3sccm甲烷、20sccm氢气。