[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，由透明电极层、ZnO窗口层、Cu1+x(In0.7-yGa0.3+y)Se2-z薄膜构成的n型CIGS光吸收层、Cu1-m(In0.7-nGa0.3+n)Se2+p薄膜构成的p型CIGS光吸收层、n型CIGS光吸收层和p型CIGS光吸收层之间界面载流子复合形成的CIGS自掺杂同质p-n结及衬底构成。该种太阳能电池的结构简单，制备容易、工艺稳定性和重复性好，成本低；且其光电转换效率高。

主权项

一种铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池，依次由以下各层构成：透明电极层、ZnO窗口层、n型CIGS光吸收层、CIGS自掺杂同质p‑n结，p型CIGS光吸收层、金属背电极层和衬底；且：所述的n型CIGS光吸收层为Cu1+x(In0.7‑yGa0.3+y)Se2‑z薄膜，0＜x≤0.15，0≤y≤0.05，0＜z≤0.15；所述的p型CIGS光吸收层为Cu1‑m(In0.7‑nGa0.3+n)Se2+p薄膜，0＜m≤0.15，0≤n≤0.05，0＜p≤0.15；所述的CIGS自掺杂同质p‑n结为：在获得p型CIGS光吸收层后，衬底温度为400℃～600℃、射频磁控溅射Cu(In0.7Ga0.3)Se2靶材获得n型CIGS光吸收层时，p型CIGS光吸收层和n型CIGS光吸收层界面载流子复合形成的同质p‑n结。