[发明专利]一种基于IGBT串联损耗优化电压自适应控制方法有效
| 申请号： | 201110426588.3 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103166435A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 温家良;陈中圆;韩健;吴锐;蔚泉清;贾娜;庞宇刚 | 申请（专利权）人： | 中国电力科学研究院 |
| 主分类号： | H02M1/08 | 分类号： | H02M1/08 |
| 代理公司： | 北京安博达知识产权代理有限公司 11271 | 代理人： | 徐国文 |
| 地址： | 100192 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于IGBT串联损耗优化电压自适应控制方法，所述方法包括以下步骤：(1)检测IGBT端电压；(2)调整主开关阶段时间；(3)调整预开关阶段时间。本发明的有益效果在于：IGBT串联时电压平衡可靠度高；IGBT串联时开关损耗低；IGBT开关电压应力可控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 igbt 串联 损耗 优化 电压 自适应 控制 方法 | ||
【主权项】：
一种基于IGBT串联损耗优化电压自适应控制方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：(1)检测IGBT端电压；(2)调整主开关阶段的时间；(3)调整预开关阶段的时间。
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H02 发电、变电或配电
H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备；直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换；以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路，例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备，例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置
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