[发明专利]一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法

摘要

一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法，其步骤是秋后立冬前深耕25厘米；春3月中下旬用划行器划沟；沟内的两边洒草木灰或硫酸钾，沟内的中间洒硝酸磷肥；按80厘米宽为一种植带，每种植带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米；用宽度是90-100厘米、厚度是0.007毫米的外面银灰色里面黑色的微膜覆盖；于4月15日前后，按60厘米株距覆膜上“M”型中间低点处种一行西瓜，亩种1200株；于4月下旬至5月上旬，在“M”型两边的高垄上按18-20厘米株距扎孔粗1.5厘米，深20厘米插甘薯苗，茶壶浇水盖土、亩栽5500株。本发明可节省三分之二的管理用工，且产量效益各增加80-120%。

主权项

一种旱地甘薯西瓜立体栽培方法，其具体步骤是：（1）、深耕：秋后立冬前日均气温在3℃以上的时间，深耕25厘米；（2）、划行：春3月中下旬，在10‑13毫米较大降水后地皮干用划行器划沟；（3）、施肥：沟内的两边洒草木灰或有效钾肥含量50%以上的硫酸钾，沟内的中间洒含氮26%、含磷12%的硝酸磷肥，硫酸钾按每亩20公斤量，硝酸磷肥按每亩20公斤量，草木灰按每亩5公斤量；（4）、起垄：按80厘米宽为一种植带，每种植带挖20厘米宽沟，将土起垄60厘米的两边成“M”型，沟底至垄高30厘米；（5）、微膜覆盖：用宽度是90‑100厘米、厚度是0.007毫米的外面银灰色里面黑色的微膜覆盖； （6）、种植西瓜：于4月15日前后，按60厘米株距覆膜上“M”型中间低点处种一行西瓜，亩种1200株；（7）、种植甘薯：于4月下旬至5月上旬，在“M”型两边的高垄上按18‑20厘米株距扎孔粗1.5厘米，深20厘米插甘薯苗，茶壶浇水盖土、亩栽5500株；（8）、劳作：作物生长期内清除垄沟内杂草；（9）、收获：8月初收获西瓜，10月中旬收获甘薯。