[发明专利]一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路有效

专利信息
申请号: 201110427584.7 申请日: 2011-12-19
公开(公告)号: CN103163935A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 姜宇;郭桂良;阎跃鹏 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G05F3/30 分类号: G05F3/30
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 逯长明;王宝筠
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路,包括启动模块用于启动电流产生模块,当电流产生模块开始工作后,启动模块退出工作;电流产生模块产生一个与绝对温度成正比的电流;基准电压产生模块由与绝对温度成正比的电流结合具有负温度系数的PN结电压,产生一个与温度无关的基准电压;基准电流产生模块由基准电压与正温度系数的电阻结合产生一个与绝对温度互补的电流,该与绝对温度互补的电流与绝对温度成正比的电流结合产生一个与温度无关的基准电流。本发明提供的电路,利用一个正温度系数的电流和一个负温度系数的电流结合产生与温度无关的基准电流。而现有技术中由基准电压与电阻的比值实现的基准电流却受温度的影响。
搜索关键词: 一种 cmos 集成电路 基准 电流 产生 电路
【主权项】:
一种CMOS集成电路中基准电流源产生电路,其特征在于,包括:电流产生模块、启动模块、基准电压产生模块和基准电流产生模块;所述启动模块,用于启动所述电流产生模块,当所述电流产生模块开始工作后,启动模块退出工作;所述电流产生模块,用于产生一个与绝对温度成正比的电流;所述基准电压产生模块,用于由所述与绝对温度成正比的电流结合具有负温度系数的PN结电压,产生一个与温度无关的基准电压;所述基准电流产生模块,用于由所述基准电压与正温度系数的电阻结合产生一个与绝对温度互补的电流,该与绝对温度互补的电流与所述与绝对温度成正比的电流结合产生一个与温度无关的基准电流。
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