[发明专利]电压调整电路有效

专利信息
申请号: 201110427650.0 申请日: 2011-12-19
公开(公告)号: CN103163927A 公开(公告)日: 2013-06-19
发明(设计)人: 王楠;李兆桂;唐成伟 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 王江富
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开了一种电压调整电路,包括一运算放大器、一驱动管、一反馈电阻,还包括一PMOS管、一NMOS管;所述驱动管的栅极接所述运算放大器的输出,所述驱动管的源漏一端接外部电压,所述驱动管的源漏另一端作为调整电压输出端并接所述PMOS管的源极,所述PMOS管的栅极接地,所述PMOS管的漏极接所述NMOS管的漏极,所述NMOS管的栅极接所述调整电压输出端,所述NMOS管的源极接所述反馈电阻的一端,所述反馈电阻的另一端接地,所述运算放大器的正、反输入端分别接参考电压及所述NMOS管的源极同所述反馈电阻的连接端。本申请的电压调整电路,能实现电压调整电路输出的调整电压对数字逻辑器件的工艺自适应。
搜索关键词: 电压 调整 电路
【主权项】:
一种电压调整电路,包括一运算放大器、一驱动管、一反馈电阻,其特征在于,还包括一PMOS管、一NMOS管;所述驱动管的栅极接所述运算放大器的输出,所述驱动管的源漏一端接外部电压,所述驱动管的源漏另一端作为调整电压输出端并接所述PMOS管的源极,所述PMOS管的栅极接地,所述PMOS管的漏极接所述NMOS管的漏极,所述NMOS管的栅极接所述调整电压输出端,所述NMOS管的源极接所述反馈电阻的一端,所述反馈电阻的另一端接地,所述运算放大器的正、反输入端分别接参考电压及所述NMOS管的源极同所述反馈电阻的连接端。
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