[发明专利]具有横向钉扎的非易失性存储器单元无效
| 申请号： | 201110427752.2 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102544352A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 习海文;A·克利亚;B·李;P·J·瑞安 | 申请（专利权）人： | 希捷科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/12;G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 钱慰民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于例如STRAM单元的非易失性存储器单元的装置和关联方法。根据各个实施例，磁性自由层通过非磁性间隔层与反铁磁性层(AFM)横向隔开并通过磁性隧道结与合成反铁磁性层(SAF)中间地隔开。AFM通过与SAF的钉扎区接触来钉扎住SAF的磁化，所述SAF的钉扎区横向地延伸超过磁性隧道结。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 横向 非易失性存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种磁性叠层，包括通过非磁性间隔层与反铁磁性层(AFM)横向隔开以及通过磁性隧道结与合成反铁磁性层(SAF)中间隔开的磁性自由层，所述AFM通过与SAF的钉扎区接触来钉扎所述SAF的磁化，所述SAF的钉扎区横向地延伸过所述磁性隧道结。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于希捷科技有限公司，未经希捷科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110427752.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于检测多个符号块的方法和设备
- 下一篇：光源装置及投影仪
