[发明专利]无源温度传感器及基于无源温度传感器的测试系统有效

专利信息
申请号: 201110427911.9 申请日: 2011-12-19
公开(公告)号: CN102494795A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 邓元;史永明;祝薇;王瑶;叶慧红 申请(专利权)人: 北京航空航天大学;北京航亿佳鑫科技开发有限公司
主分类号: G01K7/22 分类号: G01K7/22
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 李新华;成金玉
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种无源温度传感器及基于无源温度传感器的测试系统,所述的无源温度传感器包括纳米线阵列构成的层状定向薄膜热电材料Bi0.5Te1.5Se3(4),Ti阻挡层(11),Cu电极(5),Ni粘附层(10),AlN基底极板(6),高精度标准电阻(7)与热敏电阻(8)串联构成的分压式电阻测温网络,二极管(9);阻挡层(11)用于防止电极与热电材料之间的扩散效应,粘附层(10)用于解决金属电极与半导体基底之间的连接问题,标准电阻(7)与热敏电阻(8)用于测温,二极管(9)用于防止在有源工作模式时电流流入热电材料。本发明利用无源温度传感器在被触发时产生的电信号作为探测信号和电源供给,从而不再需要对传感器自身供电。
搜索关键词: 无源 温度传感器 基于 测试 系统
【主权项】:
一种无源温度传感器,其特征在于:该传感器包括纳米线阵列构成的层状定向薄膜热电材料Bi0.5Te1.5Se3(4),Ti阻挡层(11),Cu电极(5),Ni粘附层(10),AlN基底(6),高精度标准电阻(7)与热敏电阻(8)串联构成的分压式电阻测温网络,其中:AlN基底(6),Ni粘附层(10),Cu电极(5),Ti阻挡层(11)构成上、下极板;该传感器利用掩膜板技术并结合磁控溅射技术,将AlN基底(6)极板上的各层材料按照先Ni粘附层(10),然后Cu电极(5),最后Ti阻挡层(11)的顺序依次溅射上去,溅射过程中利用掩膜板保证材料的形状;所述的纳米线阵列构成的层状定向薄膜热电材料Bi0.5Te1.5Se3(4)采用128对长*宽为1mm*1mm的纳米级Bi0.5Te1.5Se3薄膜构成;该传感器利用热电材料用真空蒸镀的方法蒸镀到上极板或下极板上形成纳米薄膜;阻值为10KΩ的高精度标准电阻(7)与热敏电阻(8)串联构成的分压式电阻测温网络,分压式电阻测温网络是制作在下电极板上的,二极管(9)防止在有源模式工作时,电流流入热电材料;最后利用焊接技术将上、下极板及热电材料组装成无源温度传感器。
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