[发明专利]一种收发光器件TO同轴小型化封装方法无效
| 申请号： | 201110428072.2 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102437245A | 公开（公告）日： | 2012-05-02 |
| 发明（设计）人： | 詹敦平;徐东进;何笑迪 | 申请（专利权）人： | 江苏飞格光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 镇江京科专利商标代理有限公司 32107 | 代理人： | 夏哲华 |
| 地址： | 212006 江苏省镇江市新区丁*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于半导体光电器件领域的收发光器件TO同轴小型化封装方法。本发明的方法是：a.对铁镍钴合金材料的TO底座表面镀金，采用Au（80）Ge（20）合金焊料将氮化铝热沉和激光器芯片焊接到TO底座上，在焊接了氮化铝热沉的TO底座上设置用于导热的结点；b.采用薄膜溅射工艺对氮化铝热沉表面镀金；c.在TO底座上焊接背光探测器；d.进行金丝焊，接连接芯片外连接导线。本发明的性能和可靠性均满足使用要求，其可以通过分光片将两束不同波长进行反射在通过透镜聚焦耦合进入光纤，达到一根光纤传输两束光信号的作用，从而减少体积、降低功耗和成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 收发 器件 to 同轴 小型化 封装 方法 | ||
【主权项】：
一种收发光器件TO同轴小型化封装方法，其特征是：a.对铁镍钴合金材料的TO底座表面镀金，采用Au（80）Ge（20）合金焊料将氮化铝热沉和激光器芯片焊接到TO底座上，在焊接了氮化铝热沉的TO底座上设置用于导热的结点；b.采用薄膜溅射工艺对氮化铝热沉表面镀金；c.在TO底座上焊接背光探测器；d.进行金丝焊，接连接芯片外连接导线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
