[发明专利]制作半导体器件的方法

摘要

本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括：提供其上形成有层间介电层的半导体衬底，层间介电层中形成有第一和第二填充开口；在层间介电层上以及第一和第二填充开口内依次形成第一功函数层和第一碳基材料层，并执行平坦化工艺；在层间介电层、第一功函数层和第一碳基材料层上形成盖层；去除第一填充开口上的盖层以及第一填充开口内的第一功函数层和第一碳基材料层；在第一填充开口内以及盖层上依次形成第二功函数层和第二碳基材料层；执行平坦化工艺；去除第一碳基材料层和第二碳基材料层以形成第一和第二开口；以及在第一开口和第二开口内填充栅极材料层以分别形成N型和P型金属栅极。本发明的方法可以避免后续工艺对金属栅极造成损伤。

主权项

一种制作半导体器件的方法，包括：a)提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有层间介电层，所述层间介电层中形成有第一填充开口和第二填充开口，所述第一填充开口和所述第二填充开口分别用于形成N型金属栅极和P型金属栅极；b)在所述层间介电层上以及所述第一填充开口和所述第二填充开口内依次形成第一功函数层和第一碳基材料层，并执行平坦化工艺去除所述第一填充开口和所述第二填充开口以外的所述第一功函数层和所述第一碳基材料层；c)在所述层间介电层、所述第一功函数层和所述第一碳基材料层上形成盖层；d)去除所述第一填充开口上的所述盖层以及所述第一填充开口内的所述第一功函数层和所述第一碳基材料层；e)在所述第一填充开口内以及所述盖层上依次形成第二功函数层和第二碳基材料层；f)执行平坦化工艺至露出所述第一碳基材料层；g)去除所述第一碳基材料层和所述第二碳基材料层，以形成第一开口和第二开口；以及h)在所述第一开口和所述第二开口内填充栅极材料层，以分别形成所述N型金属栅极和所述P型金属栅极。