[发明专利]超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹辐射源及制作方法有效
| 申请号： | 201110428386.2 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102496835A | 公开（公告）日： | 2012-06-13 |
| 发明（设计）人： | 朱亦鸣;李州;杜少卿;陈麟;彭滟;袁明辉;倪争技;庄松林 | 申请（专利权）人： | 上海理工大学 |
| 主分类号： | H01S1/02 | 分类号： | H01S1/02 |
| 代理公司： | 上海东创专利代理事务所(普通合伙) 31245 | 代理人： | 宁芝华 |
| 地址： | 200093 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种超纯本征砷化镓材料的m-i-n二极管太赫兹超宽频辐射源，包括七层，自上而下依次为：上电极层、NiCr或半透明导电膜层、超纯本征砷化镓层、参杂硅的n型砷化镓缓冲层、砷化镓基底、In或者AuGeNi的合金层、下电极层；每层之间紧密相连；上电极层设置有一个窗口，上电极层、下电极层采用金或者良导体金属材料，并与外接电源连接，飞秒激光器发射的飞秒激光脉冲通过窗口照射到本征砷化镓层中，同时太赫兹电磁波从本征砷化镓层中通过窗口辐射出来。本发明结构简单，使用方便，不但得到了频谱宽度大于4太赫兹、脉冲宽度约1皮秒的太赫兹电磁波，而且通过增加光电导偶极芯片两电极之间的外加电压，可以调控所辐射太赫兹电磁场的强度。 | ||
| 搜索关键词： | 征砷化镓 材料 二极管 赫兹 辐射源 制作方法 | ||
【主权项】：
一种超纯本征砷化镓材料的m‑i‑n二极管太赫兹超宽频辐射源，包括七层，其特征在于：自上而下依次为：上电极层、NiCr或半透明导电膜层、超纯本征砷化镓层、参杂硅的n型砷化镓缓冲层、砷化镓基底、In或者AuGeNi的合金层、下电极层；每层之间紧密相连；上电极层设置有一个窗口，上电极层、下电极层采用金或者良导体金属材料，并与外接电源连接，飞秒激光器发射的飞秒激光脉冲通过窗口照射到本征砷化镓层中，同时太赫兹电磁波从本征砷化镓层中通过窗口辐射出来。
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