[发明专利]在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法有效
| 申请号： | 201110428452.6 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102543790A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 陆俊宇;魏青竹;钱峰;孙利国 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01B11/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215542 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法，其特征在于包括以下步骤：首先，通过椭偏仪测试使用常规酸或碱制绒方式加工的硅片表面氮化硅膜，获取氮化硅膜的折射率n。之后，通过反射率测试仪器测定入射光在硅片表面反射率最低点处的波长λ。最后，将上述步骤获取的数据代入通式d＝λ/(4×n)中，得到氮化硅膜厚度d的具体数值。由此，可以对RIE方式制绒表面上生长的氮化硅进行准确的测试跟监控。更为重要的是，本发明采用的方法原理简单，容易掌握，易于在实际生产过程中推广应用，解决了RIE项目推进过程中的一个难题。 | ||
| 搜索关键词： | rie 法制 硅片 表面 测量 氮化 厚度 方法 | ||
【主权项】：
在RIE方法制绒的硅片表面测量氮化硅膜厚度的方法，其特征在于包括以下步骤：步骤①，通过椭偏仪测试使用常规酸或碱制绒方式加工的硅片表面氮化硅膜，获取氮化硅膜的折射率n；步骤②，通过反射率测试仪器测定入射光在硅片表面反射率最低点处的波长λ；步骤③，将上述步骤获取的数据代入通式d＝λ/(4*n)中，得到氮化硅膜厚度d的具体数值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
