[发明专利]一种具有高储能密度的锆酸铅基反铁电厚膜及制备方法有效
| 申请号： | 201110429068.8 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN102515755A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 郝喜红;王鹏 | 申请（专利权）人： | 内蒙古科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/49 | 分类号： | C04B35/49;C04B35/622;H01G13/00 |
| 代理公司： | 包头市专利事务所 15101 | 代理人： | 庄英菊 |
| 地址： | 014010 内蒙*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有高储能密度的锆酸铅基反铁电厚膜及制备方法，属于电子功能材料与器件领域。本发明包括以下化学组分：按质量比：(Pb1-aLa2a/3)(Zr1-x-ySnxTiy)O3∶玻璃粉∶有机粘结剂＝70～80∶1～5∶15～25，其中：0≤a≤0.06，0≤x≤0.45，0≤y≤0.10。本发明中的反铁电厚膜材料同时具有能量存储密度高、能量损耗低的特点，可以作为高功率大容量电容器开发和应用的关键材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 高储能 密度 锆酸铅基反铁电厚膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有高储能密度的锆酸铅基反铁电厚膜，其特征在于，包括以下化学组分：按质量比(Pb1‑aLa2a/3)(Zr1‑x‑ySnxTiy)O3∶玻璃粉∶有机粘结剂＝70～80∶1～5∶15～25，其中：0≤a≤0.06，0≤x≤0.45，0≤y≤0.10。
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