[发明专利]光电传感器组件及用于提供光电传感器组件的方法

摘要

本发明涉及光电传感器组件及用于提供光电传感器组件的方法。光电二极管组件包括半导体衬底、光电二极管单元、接地扩散区和保护带。该光电二极管单元包括衬底的用第一类型掺杂剂掺杂的第一体积。该接地扩散区包括衬底的用第二、相反类型掺杂剂掺杂的第二体积。该保护带设置在该衬底中并且至少部分围绕该光电二极管单元的外围延伸。该保护带包括衬底的用该第一类型掺杂剂掺杂的第三体积。该接地扩散区或该保护带中的至少一个与接地参考传导地耦合以传导从该光电二极管单元漂移通过该衬底的电子或空穴中的一个或多个。该保护带可比该接地扩散区更接近该光电二极管设置。

主权项

一种光电二极管组件(100、300、500、700、900)，其包括：半导体衬底(110、302、502、702、902)；在所述衬底(110、302、502、702、902)中的光电二极管单元(108、304、504、704、904)，所述光电二极管单元(108、304、504、704、904)包括用第一类型掺杂剂掺杂的所述衬底(110、302、502、702、902)的第一体积；在所述衬底(110、302、502、702、902)中的接地扩散区(318、518、716、718、914)，所述接地扩散区(318、518、716、718、914)包括用相对于所述第一类型掺杂剂具有相反电荷的第二类型掺杂剂掺杂的所述衬底(110、302、502、702、902)的第二体积；和在所述衬底(110、302、502、702、902)中并且至少部分围绕所述光电二极管单元(108、304、504、704、904)的外围延伸的保护带(312、314、512、514、712、714)，所述保护带(312、314、512、514、712、714)包括用所述第一类型掺杂剂掺杂的所述衬底(110、302、502、702、902)的第三体积，所述接地扩散区(318、518、716、718、914)或所述保护带(312、314、512、514、712、714)中的至少一个与接地参考(116)传导地耦合以传导从所述光电二极管单元(108、304、504、704、904)漂移通过所述衬底(110、302、502、702、902)的电子或空穴中的一个或多个，其中所述保护带(312、314、512、514、712、714)比所述接地扩散区(318、518、716、718、914)更接近所述光电二极管单元(108、304、504、704、904)设置。