[发明专利]一种光纤阵列动态红外场景生成装置的制作方法无效

专利信息
申请号: 201110429418.0 申请日: 2011-12-20
公开(公告)号: CN102495450A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 钱丽勋;李卓;周振浩;单伟;周丽丽;唐成;李平;欧文 申请(专利权)人: 北京理工大学;北京机电工程研究所
主分类号: G02B6/13 分类号: G02B6/13;G02B6/138
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100081 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种光纤阵列动态红外场景生成装置的制作方法,属于动态红外场景生成技术领域。本方法利用MEMS工艺在硅片或者玻璃片上制作光纤阵列,同时在光纤阵列顶端制作可见光吸收红外辐射层,该方法的操作步骤包括:衬底的选择和清洗,光纤阵列刻蚀基础层制作,可见光吸收红外辐射层制作,金属刻蚀掩膜层制作,光刻刻蚀图形,金属掩膜层图形制作,清除金属掩膜板图形间距处可见光吸收红外辐射层材料,光纤阵列刻蚀基础层刻蚀,去除残留金属掩膜层以及装置制作的收尾步骤。本发明方法操作简单,制作工艺成熟,设计参数制作精确,具有很好的应用前景。
搜索关键词: 一种 光纤 阵列 动态 红外 场景 生成 装置 制作方法
【主权项】:
一种光纤阵列动态红外场景生成装置的制作方法,其特征在于:具体实施过程如下:步骤一、选择衬底;步骤二、清洗衬底操作面;步骤三、在清洗后的衬底操作面上制作光纤阵列刻蚀基础层;步骤四、在光纤阵列刻蚀基础层上制作可见光吸收红外辐射层;步骤五、在可见光吸收红外辐射层上方制作金属刻蚀掩膜层;步骤六、光刻刻蚀图形;步骤七、将步骤六的刻蚀图形转移到金属掩膜层上;步骤八、刻蚀金属掩膜层图像间距处可见光吸收红外辐射层材料;步骤九、刻蚀光纤阵列刻蚀基础层;步骤十、去除残留金属掩膜层;步骤十一、装置后处理;完成收尾步骤后,装置制作完成。
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