[发明专利]一种光纤阵列动态红外场景生成装置的制作方法无效
申请号: | 201110429418.0 | 申请日: | 2011-12-20 |
公开(公告)号: | CN102495450A | 公开(公告)日: | 2012-06-13 |
发明(设计)人: | 钱丽勋;李卓;周振浩;单伟;周丽丽;唐成;李平;欧文 | 申请(专利权)人: | 北京理工大学;北京机电工程研究所 |
主分类号: | G02B6/13 | 分类号: | G02B6/13;G02B6/138 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种光纤阵列动态红外场景生成装置的制作方法,属于动态红外场景生成技术领域。本方法利用MEMS工艺在硅片或者玻璃片上制作光纤阵列,同时在光纤阵列顶端制作可见光吸收红外辐射层,该方法的操作步骤包括:衬底的选择和清洗,光纤阵列刻蚀基础层制作,可见光吸收红外辐射层制作,金属刻蚀掩膜层制作,光刻刻蚀图形,金属掩膜层图形制作,清除金属掩膜板图形间距处可见光吸收红外辐射层材料,光纤阵列刻蚀基础层刻蚀,去除残留金属掩膜层以及装置制作的收尾步骤。本发明方法操作简单,制作工艺成熟,设计参数制作精确,具有很好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 光纤 阵列 动态 红外 场景 生成 装置 制作方法 | ||
【主权项】:
一种光纤阵列动态红外场景生成装置的制作方法,其特征在于:具体实施过程如下:步骤一、选择衬底;步骤二、清洗衬底操作面;步骤三、在清洗后的衬底操作面上制作光纤阵列刻蚀基础层;步骤四、在光纤阵列刻蚀基础层上制作可见光吸收红外辐射层;步骤五、在可见光吸收红外辐射层上方制作金属刻蚀掩膜层;步骤六、光刻刻蚀图形;步骤七、将步骤六的刻蚀图形转移到金属掩膜层上;步骤八、刻蚀金属掩膜层图像间距处可见光吸收红外辐射层材料;步骤九、刻蚀光纤阵列刻蚀基础层;步骤十、去除残留金属掩膜层;步骤十一、装置后处理;完成收尾步骤后,装置制作完成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京理工大学;北京机电工程研究所,未经北京理工大学;北京机电工程研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110429418.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。