[发明专利]场效应磁传感器有效
| 申请号： | 201110429504.1 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102608547A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 吉尔贝托·库拉托拉;维克多·齐伦;安科·黑林格 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G01R33/02 | 分类号： | G01R33/02;H01L43/08 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 吕雁葭 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 根据本发明的场效应磁传感器促进了高灵敏的磁场检测。根据一个或多个示例实施例，通过使用针对第一和第二端子中的每个端子的独立沟道区中的反型层来控制在第一和第二源极/漏极端子与第三源极/漏极端子之间的相应的电流流动。响应于磁场，使得在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子之一之间传送的电流量大于在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子中的另一个源极/漏极端子之间传送的电流量。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 传感器 | ||
【主权项】：
一种场效应磁传感器，包括：在半导体衬底中的第一、第二和第三源极/漏极端子；分别针对第一和第二源极/漏极端子中的每个源极/漏极端子的沟道区，所述沟道区被配置为：处于未偏置的状态时，抑制在第一和第二源极/漏极端子中的相应源极/漏极端子与第三源极/漏极端子之间的电流流动；漂移区，在衬底中，并隔离相应的沟道区；栅极，被配置为偏置沟道区以在相应的沟道区中创建反型层，所述反型层使在第三源极/漏极端子与相应的第一或第二源极/漏极端子之间的电流经由漂移区流动；以及传感器，所述传感器对磁场作出响应，以当沟道区处于偏置状态时，使得在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子之一之间传送的电流量大于在第三源极/漏极端子与第一和第二源极/漏极端子中的另一个源极/漏极端子之间传送的电流量。
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