[发明专利]一种红外动态场景生成芯片的制作方法

摘要

本发明涉及一种红外动态场景生成芯片的制作方法，属于动态红外场景生成技术领域。本方法在衬底上制作牺牲层，然后在牺牲层上采用旋涂法形成PI薄膜，在薄膜上制作可见光吸收红外辐射层的像元阵列，并利用腐蚀法剥离薄膜，该发明操作步骤包括：衬底选择和清洗，牺牲层的制作，PI薄膜层制作，可见光吸收红外辐射层制作，像素阵列制作，薄膜芯片剥离以及薄膜芯片固定。制作过程PI层经过了热处理，大大提过了薄膜的质量。薄膜上的可见光吸收红外辐射层形成了像元阵列，改善了Bly元件无物理像元的缺陷。薄膜芯片制作时采用MEMS工艺，可控性高，成功率高。制作过程中的一些材料可以反复使用，降低了成本。

主权项

一种红外动态场景生成芯片的制作方法，其特征在于：具体实施过程如下：步骤一：选择操作面平整的衬底；步骤二：清洗衬底操作面；步骤三：在衬底的操作面上制作一层牺牲层；步骤四：利用涂胶机在步骤三制作的牺牲层表面旋涂PI原液层；步骤五：将PI原液层进行热处理，形成PI薄膜层；步骤六：在PI薄膜层上制作可见光吸收红外辐射层；步骤七：在可见光吸收红外辐射层光刻像元阵列图形；步骤八：将像元阵列图形转移到可见光吸收红外辐射层；步骤九：去除剩余的光刻胶；步骤十：剥离薄膜芯片；步骤十一：固定薄膜芯片；完成薄膜芯片的制作。