[发明专利]形成与半导体小片垂直分隔的互连层中的电感器的半导体器件和方法有效
申请号: | 201110429754.5 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN102543779A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 林耀剑;陈康;方建敏 | 申请(专利权)人: | 新科金朋有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/488;H01L25/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 俞华梁;王忠忠 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
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摘要: | 半导体器件具有在载体之上形成的粘合层。半导体小片具有在半导体小片的有源表面之上形成的凸块。将半导体小片安装到载体,其中凸块部分设置在粘合层中,以便形成半导体小片与粘合层之间的间隙。将封装剂沉积在半导体小片之上以及半导体小片与粘合层之间的间隙中。去除载体和粘合层,以便从封装剂露出凸块。绝缘层在封装剂之上形成。按照缠绕配置在绝缘层之上形成导电层以呈现电感性质,并且所述导电层电连接到凸块。导电层部分设置在半导体小片的占用面积中。导电层具有由间隙和绝缘层所确定的与半导体小片的分隔。 | ||
搜索关键词: | 形成 半导体 小片 垂直 分隔 互连 中的 电感器 半导体器件 方法 | ||
【主权项】:
一种制作半导体器件的方法,包括:提供载体;在所述载体之上形成粘合层;提供具有在半导体小片的有源表面之上形成的多个凸块的所述半导体小片;将所述半导体小片安装到所述载体,其中所述凸块部分设置在所述粘合层中,以便形成所述半导体小片与粘合层之间的间隙;将封装剂沉积在所述半导体小片之上以及所述半导体小片与粘合层之间的所述间隙中;去除所述载体和粘合层,以便从所述封装剂露出所述凸块;在所述封装剂之上形成绝缘层;以及以缠绕配置在所述绝缘层之上形成第一导电层以呈现电感性质,并且所述第一导电层电连接到所述凸块,所述第一导电层具有由所述间隙中的所述封装剂和所述绝缘层所确定的与所述半导体小片的分隔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造