[发明专利]一种具有可恢复过流保护功能的浪涌电流抑制电路模块有效
申请号: | 201110430595.0 | 申请日: | 2011-12-20 |
公开(公告)号: | CN102437560A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | 叶东东;张扬;文毅;钟红军;李春江;常涛;彭勃 | 申请(专利权)人: | 北京控制工程研究所 |
主分类号: | H02H9/02 | 分类号: | H02H9/02 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 安丽 |
地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种具有可恢复过流保护功能的浪涌电流抑制电路模块,在一次母线与负载端之间包含由电阻R1、R2、R3、R4、R5、MOS管V1、三极管V2和稳压二极管V3组成的电路模块。采用本发明实现了集浪涌电流抑制和可恢复输入过流的保护,最大程度的保护了卫星的电源母线。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 可恢复 保护 功能 浪涌 电流 抑制 电路 模块 | ||
【主权项】:
一种具有可恢复过流保护功能的浪涌电流抑制电路模块,在一次母线与负载端之间包含由电阻R1、R2、R3、R4、R5、MOS管V1、三极管V2和稳压二极管V3组成的电路模块,其中,电阻R1、电阻R2和MOS管V1串联后并联于正负母线之间,当所述电路模块用于负线时,所述电阻R3的一端与稳压二极管V3的阴极相连后与电阻R1和电阻R2的串联端相连;所述电阻R3的另一端与稳压二极管V3的阳极以及MOS管V1的源极与负线相连;当所述电路模块用于正线时,所述电阻R3的一端与稳压二极管V3的阳极相联后与电阻R1和电阻R2的串联端相连;所述电阻R3的另一端与二极管V3的阴极以及MOS管V1的源极与正线相连;其特征在于:当所述电路模块用于负线时,所述MOS管V1采用N沟道MOS管,所述三极管V2采用NPN三极管;所述三极管V2的集电极与稳压二极管V3的阴极相连;所述三极管V2的发射极与电阻R4的一端与稳压二极管V3的阳极相连;所述三极管V2的基极通过电阻R5与电阻R4的另一端以及MOS管V1的源极相连;当所述电路模块用于正线时,所述MOS管V1采用P沟道MOS管,所述三极管V2采用PNP三极管;所述三极管V2的集电极与稳压二极管V3的阳极相连;所述三极管V2的发射极与电阻R4的一端与稳压二极管V3的阴极相连;所述三极管V2的基极通过电阻R5与电阻R4的另一端以及MOS管V1的源极相连。
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