[发明专利]一种低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜有效
| 申请号： | 201110430741.X | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102651311A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁;龙春平;姚江峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L21/268;H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 罗建民;陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种低温多晶硅薄膜的制备方法，该方法首先在基板上形成缓冲层和非晶硅层，随后对非晶硅层进行第一次激光退火处理，使非晶硅层转变为多晶硅生长底层，随后对多晶硅生长底层进行蚀刻处理，使第一次激光退火处理过程得到的多晶硅生长底层表面趋于平坦，接着再对多晶硅生长底层进行第二次激光退火处理，得到多晶硅薄膜。由本方法制备的低温多晶硅薄膜表面粗糙度低，后续制备的多晶硅薄膜晶体管的电流特性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 低温 多晶 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低温多晶硅薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：(1)在基板上形成缓冲层；(2)在步骤(1)得到的缓冲层上形成30‑100nm的非晶硅层；(3)对步骤(2)所得非晶硅层进行第一次激光退火处理，形成多晶硅生长底层；(4)对步骤(3)所得多晶硅生长底层进行蚀刻处理，以除去多晶硅生长底层表面氧化物和突起；以及(5)对多晶硅生长底层进行第二次激光退火处理，得到多晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
