[发明专利]边耦合腔结构以及驻波电子直线加速器

摘要

本发明提供了一种边耦合腔结构以及使用该边耦合腔结构的驻波电子直线加速器。其中，边耦合腔结构设置在加速腔一侧，包括：腔体；从腔体突出的上耦合腔柱和下耦合腔柱；设置在上耦合腔柱和下耦合腔柱中央处附近，并且贯穿腔体的活塞通道；以及陶瓷环，该陶瓷环的端面部分被金属化，其中，通过被金属化的端面部分，利用密封焊接，将陶瓷环固定在上耦合腔柱和下耦合腔柱。由于活塞在边耦合腔中运动的区域不是加速管的真空区域，因此无需使用波纹管，不仅使整个装置小型化，而且气动活塞可以方便地更换而不影响加速管的功能。此外，由于陶瓷圆筒的陶瓷材料壁更薄，因此在将其插入腔室中之后，能够进一步减小插入的陶瓷圆筒对电容造成的影响。

主权项

一种边耦合腔(2)结构，所述边耦合腔结构设置在加速腔(1)一侧，包括：腔体(3)；从所述腔体(3)突出的上耦合腔柱(4)和下耦合腔柱(4’)；设置在上耦合腔柱(4)和下耦合腔柱(4’)中央处附近，并且贯穿所述腔体(3)的活塞通道(6)；以及陶瓷环(7)，所述陶瓷环(7)的端面部分(5)被金属化，其中，通过被金属化的所述端面部分(5)，利用密封焊接，将所述陶瓷环(7)固定在所述上耦合腔柱(4)和下耦合腔柱(4’)。