[发明专利]高压隔离型的NLDMOS结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201110431856.0 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN103178109A | 公开（公告）日： | 2013-06-26 |
| 发明（设计）人： | 董金珠;韩峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压隔离型的NLDMOS结构及其制作方法，该结构包括：在P SUB之上形成的DNW；在DNW上形成的LOCOS；在DNW内，形成的P阱，且P阱和LOCOS有交叠；在DNW内，形成的P TOP，该P TOP位于LOCOS下方；在DNW和LOCOS上，形成的栅极；由多晶硅形成的在P TOP(浮置P结构)末端的场板；在整个有DNW的器件区，形成的源极和漏极；其制作方法，包括：1)DNW的制作；2)P阱的制作；3)P TOP的制作；4)多晶硅栅极及多晶硅场板的制作；5)源漏的制作；6)P+的制作。本发明能使BV增加，而且DNW的浓度不需要改变，器件的Rsp不受影响。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 隔离 nldmos 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种高压隔离型的NLDMOS结构，其特征在于，包括：在P SUB之上，由磷注入并经热推进形成的DNW；在DNW上形成的LOCOS；在DNW内，由硼注入在源端形成的P阱，且P阱和LOCOS有交叠；在DNW内，由硼注入形成的P TOP，该P TOP位于LOCOS下方；在DNW和LOCOS上，由多晶硅形成的栅极；由多晶硅形成的在P TOP末端的场板；在整个有DNW的器件区，由磷或砷注入形成的源极和漏极。
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